隨著以太網(wǎng)速率的不斷提高,各種寄生參數(shù)特性對(duì)電氣性能存在不容忽視的影響,因此,以太網(wǎng)的電磁兼容(EMC)和防護(hù)設(shè)計(jì)成為設(shè)備功能能否實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵。EMC和防護(hù)設(shè)計(jì)介入產(chǎn)品設(shè)計(jì)的時(shí)間越早,成本也就越低。廢話不多,小編最喜歡做的事情就是將
踏歌電子FAE工程師們的經(jīng)驗(yàn)都分享給大家,本篇以太網(wǎng)口雷擊浪涌防護(hù)方案分享是難得一見(jiàn)的實(shí)用干貨,值得收藏。
以太網(wǎng)口雷擊浪涌防護(hù)方案的設(shè)計(jì)思路:
以太網(wǎng)防護(hù)方案的設(shè)計(jì)需要考慮到雷擊浪涌以及陶瓷放電管一級(jí)防護(hù)之后的殘壓,因此一般會(huì)采用GDT在變壓器前端做共模 (八線)浪涌防護(hù);并選擇結(jié)電容低、反應(yīng)時(shí)間快,兼顧防護(hù)靜電功能的
TVS管吸收差模能量。
百兆以太網(wǎng)防護(hù)方案(一)
防護(hù)電路圖:
使用踏歌電子器件:
陶瓷氣體放電管:
GDT【UN1206-200ASMD】 直流標(biāo)稱電壓200±30%V,沖擊電流(8/20μs)0.5KA,電容值<0.5pF,電阻>100MΩ。
GDT【UN1812-90CSMD】 直流標(biāo)稱電壓90±20%V,沖擊電流(8/20μs)2.0KA,電容值<1.0pF,電阻>1GΩ。
瞬態(tài)抑制二極管TVS管:
TVS【SLUV2.8-4】 Vrwm:2.8V,Vb:3.0V,防靜電能力(接觸/空氣):8KV/15KV,結(jié)電容(f=1MHz):2.0pF,封裝:SO-08。
百兆以太網(wǎng)防護(hù)方案(二)
防護(hù)電路圖:
使用踏歌電子器件:
陶瓷氣體放電管:
GDT【UN1206-200ASMD】直流標(biāo)稱電壓200±30%V,沖擊電流(8/20μs)0.5KA,電容值<0.5pF,電阻>100MΩ。
GDT【UN1812-90CSMD】直流標(biāo)稱電壓90±20%V,沖擊電流(8/20μs)2.0KA,電容值<1.0pF,電阻>1GΩ。
瞬態(tài)抑制二極管TVS管:
TVS【ESD03V32D-LC】Vrwm:3.0V,Vb:4.0V,防靜電能力(接觸/空氣):8KV/15KV,結(jié)電容(f=1MHz):1.2pF,封裝:SOD-323。
千兆以太網(wǎng)防護(hù)方案(一)
防護(hù)電路圖:
使用踏歌電子器件:
陶瓷氣體放電管:
GDT【UN1206-200ASMD】直流標(biāo)稱電壓200±30%V,沖擊電流(8/20μs)0.5KA,電容值<0.5pF,電阻>100MΩ
GDT【UN1812-90CSMD】直流標(biāo)稱電壓90±20%V,沖擊電流(8/20μs)2.0KA,電容值<1.0pF,電阻>1GΩ。
瞬態(tài)抑制二極管:
TVS【SLUV2.5-8】Vrwm:2.V,Vb:3.0V,防靜電能力(接觸/空氣):30KV/30KV,結(jié)電容(f=1MHz):3.0pF,封裝:SOP-08,超低漏電流
千兆以太網(wǎng)防護(hù)方案(二)
防護(hù)電路圖:
使用踏歌踏歌電子器件:
陶瓷氣體放電管:
GDT【UN1206-200ASMD】直流標(biāo)稱電壓200±30%V,沖擊電流(8/20μs)0.5KA,電容值<0.5pF,電阻>100MΩ
GDT【UN1812-90CSMD】直流標(biāo)稱電壓90±20%V,沖擊電流(8/20μs)2.0KA,電容值<1.0pF,電阻>1GΩ。
瞬態(tài)抑制二極管:
TVS【ESD03V32D-LC】Vrwm:3.0V,Vb:4.0V,防靜電能力(接觸/空氣):8KV/15KV,結(jié)電容(f=1MHz):1.2pF,封裝:SOD-323。